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論文

Retention and thermal release of oxygen implanted in boron carbide

荻原 徳男; 神保 龍太郎*; 西堂 雅博; 道園 真一郎*; 斎藤 芳男*; 森 弘一*; 森田 健治*; 山華 雅司*; 菅井 秀郎*

Journal of Nuclear Materials, 220-222, p.748 - 751, 1995/00

https://doi.org/10.1016/0022-3115(94)00578-8
 被引用回数：3 パーセンタイル：36.75(Materials Science, Multidisciplinary)

JT-60Uにおいては、デカボラン(B$$_{10}$$H$$_{14}$$)を用いたボロナイゼーションを実施している。そこで、これと同一の手法により黒鉛上に形成されたボロン膜を用いて、高エネルギー酸素イオンとの反応を調べた。結果は以下の通りである。(1)室温から600$$^{circ}$$CにおけるO$$_{2+}$$イオン照射においては、~2$$times$$10$$^{17}$$ O/cm$$^{2}$$のフルーエンスまでO$$_{2+}$$イオンはすべてボロン膜中に捕えられる。(2)室温で打ち込まれた酸素は、600$$^{circ}$$Cまではボロン膜から脱離しない。以上の結果は、JT-60Uにおいて、実施されているボロナイゼーションの酸素ゲッタリング作用を明らかに指示するものである。

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